MZ-1LB960NE M.2 22110 960GB Samsung 983 DCT Enterprise SSD PCIe Gen3x4 with NVMe, 3000/1200, IOPS 400/38K, MTBF 2M, 3D TLC, 1402TBW, 0,8DWPD, RTL (253424)
Нет в наличииОписание
Интерфейс:
Тип интерфейса: SATA
Версия SATA: SATA 6 Гб/с
Вид устройства: Внутренний твердотельный накопитель
Позиционирование использования: Desktop
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format): Да
Форм-фактор: M.2 2280
Номинальный объем, ГБ: 250
Объем после форматирования, GiB: 238
Тип памяти: 3D NAND TLC
Контроллер: Marvell
Внешняя скорость передачи данных, до, МБ/с: 600
Максимальная скорость чтения, МБ/с: 560
Максимальная скорость записи, МБ/с: 530
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS: 60
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS: 88
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.: 1500
Ударостойкость при работе, G: 1500
Ударостойкость при хранении, G: 1500
Размеры:
Ширина, мм: 80
Высота, мм: 3.5
Глубина, мм: 22
Тип комплектации: OEM
Ссылка на описание: https://www.samsung.com/semiconductor/ssd/client-ssd/MZNLH256HAJD-00$00-07/
Комплект поставки: Инструкция, накопитель
Интерфейс:
Тип интерфейса: PCI Express
Версия PCI-E: PCIe 3.0 x4 w/NVMe
Вид устройства: Внутренний твердотельный накопитель
Позиционирование использования: Desktop
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format): Да
Форм-фактор: M.2 2280
Номинальный объем, ГБ: 1920
Объем после форматирования, GiB: 1764
Тип памяти: 3D NAND TLC
Контроллер: Marvell
Внешняя скорость передачи данных, до, МБ/с: 3840
Максимальная скорость чтения, МБ/с: 3000
Максимальная скорость записи, МБ/с: 1430
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS: 480
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS: 42
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.: 2000
Ударостойкость при работе, G: 1500
Ударостойкость при хранении, G: 1500
Энергопотребление при работе, Вт: 8
Размеры:
Ширина, мм: 110.2
Высота, мм: 3.8
Глубина, мм: 22
Тип комплектации: OEM
Ссылка на описание: https://www.samsung.com/semiconductor/minisite/ssd/product/data-center/983dct/
Комплект поставки: Инструкция, накопитель
Тип интерфейса: SATA
Версия SATA: SATA 6 Гб/с
Вид устройства: Внутренний твердотельный накопитель
Позиционирование использования: Desktop
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format): Да
Форм-фактор: M.2 2280
Номинальный объем, ГБ: 250
Объем после форматирования, GiB: 238
Тип памяти: 3D NAND TLC
Контроллер: Marvell
Внешняя скорость передачи данных, до, МБ/с: 600
Максимальная скорость чтения, МБ/с: 560
Максимальная скорость записи, МБ/с: 530
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS: 60
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS: 88
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.: 1500
Ударостойкость при работе, G: 1500
Ударостойкость при хранении, G: 1500
Размеры:
Ширина, мм: 80
Высота, мм: 3.5
Глубина, мм: 22
Тип комплектации: OEM
Ссылка на описание: https://www.samsung.com/semiconductor/ssd/client-ssd/MZNLH256HAJD-00$00-07/
Комплект поставки: Инструкция, накопитель
Интерфейс:
Тип интерфейса: PCI Express
Версия PCI-E: PCIe 3.0 x4 w/NVMe
Вид устройства: Внутренний твердотельный накопитель
Позиционирование использования: Desktop
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format): Да
Форм-фактор: M.2 2280
Номинальный объем, ГБ: 1920
Объем после форматирования, GiB: 1764
Тип памяти: 3D NAND TLC
Контроллер: Marvell
Внешняя скорость передачи данных, до, МБ/с: 3840
Максимальная скорость чтения, МБ/с: 3000
Максимальная скорость записи, МБ/с: 1430
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS: 480
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS: 42
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.: 2000
Ударостойкость при работе, G: 1500
Ударостойкость при хранении, G: 1500
Энергопотребление при работе, Вт: 8
Размеры:
Ширина, мм: 110.2
Высота, мм: 3.8
Глубина, мм: 22
Тип комплектации: OEM
Ссылка на описание: https://www.samsung.com/semiconductor/minisite/ssd/product/data-center/983dct/
Комплект поставки: Инструкция, накопитель
Характеристики
-
ПроизводительSamsung
-
Тип интерфейсаPCI Express
-
Версия PCI-EPCIe 3.0 x4 w/NVMe
-
Вид устройстваВнутренний твердотельный накопитель
-
Позиционирование использованияDesktop
-
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format)Да
-
Форм-факторM.2 2280
-
Номинальный объем1920
-
Объем после форматирования1764
-
Тип памяти3D NAND TLC
-
КонтроллерMarvell
-
Внешняя скорость передачи данных, до3840
-
Максимальная скорость чтения3000
-
Максимальная скорость записи1430
-
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ)480
-
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ)42
-
Среднее время наработки на отказ (MTBF)2000
-
Ударостойкость при работе1500
-
Ударостойкость при хранении1500
-
Энергопотребление при работе8
-
Ширина110.2
-
Высота3.8
-
Глубина22
-
Тип комплектацииOEM
-
Ссылка на описаниеhttps://www.samsung.com/semiconductor/minisite/ssd/product/data-center/983dct/
-
Комплект поставкиИнструкция, накопитель
