Оперативная память Silicon Power 4 ГБ DDR4 2666 МГц CL19 (SP004GBSFU266N02)

Код товара: 210252487

Нет в наличии

Официальная гарантия от производителя - 1 год

Описание

Количество модулей в комплекте	1 шт.
Объем одного модуля	4 ГБ
Тип	DDR4 SODIMM 260-pin
Тактовая частота	2666 МГц
Тайминги	19
Напряжение питания	1.2 В
Пропускная способность	PC21300

Характеристики

Производитель

SILICON_POWER
Производитель

Silicon Power
Модель

SP004GBSFU266N02
Количество модулей в комплекте шт

1
Общий объем памяти ГБ

4
Тип модуля

SO-DIMM
Частота MHz

DDR4 - 2666
Пропускная способность МБ/с

21300
Количество контактов

260
Охлаждение

-
Напряжение В

1.2
Тайминги

-
Основные характеристики

-
Дополнительные характеристики

-
Объем одного модуля ГБ

4
CAS Latency CL

19
Цвет

комбинированная расцветка
http://www.silicon-power.com/
Тип оборудования

Память

Представленное описание носит информационный характер. Производитель оставляет за собой право изменять характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного уведомления продавца. Рекомендуем перед покупкой уточнить характеристики товара на сайте производителя.

Указанные цены не являются публичной офертой (ст.435 ГК РФ). Стоимость и наличие товара уточняйте у менеджера.