Характеристики

• Производитель
  SILICON_POWER
• Производитель
  Silicon Power
• Модель
  SP004GBLFU266N02
• Количество модулей в комплекте шт
  1
• Общий объем памяти ГБ
  4
• Тип модуля
  DIMM
• Частота MHz
  DDR4 - 2666
• Пропускная способность МБ/с
  21300
• Количество контактов
  288
• Напряжение В
  1.2
• Тайминги
  -
• Высота мм
  -
• Чип
  -
• Габариты мм
  -
• Дополнительная информация
  -
• Вес грамм
  -
• Основные характеристики
  -
• Дополнительные характеристики
  -
• Объем одного модуля ГБ
  4
• Линейка
  -
• CAS Latency CL
  19
• RAS to CAS Delay tRCD
  -
• Row Precharge Delay tRP
  -
• Нормальная операционная температура Tcase
  75
• Расширенная операционная температура Tcase
  85
• Цвет
  Комбинированный
• Количество чипов на модуле
  -
• Activate to Precharge Delay tRAS
  -
• Компоновка чипов на модуле
  Двусторонняя
• http://www.silicon-power.com/
• Потребление энергии
  -
• Тип оборудования
  Оперативная память